SI2302DDS, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2,6 A, 710 mW, 45 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | SI2302DDS |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 3,04 mm |
Breite | 1,4 mm |
Höhe | 1,12 mm |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 70 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 310 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 57 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 0,85 - 8 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 45 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 30 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 710 mW |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 20 V |
Max. Schaltstrom | 2,6 A |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SOT-23 / TO-236AB |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | vipitec, Victor-Philipp Negoescu, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de |
Hersteller-Artikelnr. | 05-0010-01034 |
Irrtümer vorbehalten