PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: NEXPERIA
  • MPN: PSMN0R9-30YLDX
  • Artikelnr.: 05-0010-01005
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell PSMN0R9-30YLDX
RoHS-konform Ja
Länge 6,2 mm
Breite 5,3 mm
Höhe 1,1 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 300 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 2.914 pF
Eingangskapazität (C_iss) 7.668 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 1,09 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,2 - 30 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 63 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 445 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 291 W
Anzahl Pins 5
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse LFPAK-56 / SOT-1023
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr. PSMN0R9-30YLDX
Irrtümer vorbehalten