PSMN0R9-30YLDX, N-Kanal MOSFET, 30 V, 300 A, 291 W, 63 ns, SMD, LFPAK-56/SOT-1023, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | PSMN0R9-30YLDX |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 6,2 mm |
Breite | 5,3 mm |
Höhe | 1,1 mm |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 2.914 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 7.668 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 1,09 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 2,2 - 30 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 63 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 445 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 291 W |
Anzahl Pins | 5 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 30 V |
Max. Schaltstrom | 300 A |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | LFPAK-56 / SOT-1023 |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | vipitec, Victor-Philipp Negoescu, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de |
Hersteller-Artikelnr. | 05-0010-01005 |
Irrtümer vorbehalten