PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | PMV280ENEAR |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 3 mm |
Breite | 1,9 mm |
Höhe | 1,1 mm |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 13 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 190 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 432 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 2,7 - 20 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 10 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 9 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 580 mW |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 100 V |
Max. Schaltstrom | 1,1 A |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SOT-23 / TO-236AB |
Irrtümer vorbehalten