IRLU120NPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 10 A, 48 W, 35 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLU120NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU120N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 10 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLU120NPBF ist sein niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 265 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 20 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 48 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU120NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLU120NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU120NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.