IRLU110PBF, N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V, 4,3 A, 25 W, 47 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | IRLU110PBF |
RoHS-konform | Ja |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 4,3 A |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 80 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 250 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 540 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 2 - 10 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 5 V |
Max. Schaltverzögerung | 47 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 15 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Derating-Faktor | 0,2 W/°C |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 25 W |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | THT |
Max. Schaltspannung | 100 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | IPAK / TO-251AA |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Vishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, 95100 Selb, DE, +499287710, business-europe@vishay.com |
Hersteller-Artikelnr. | IRLU110PBF |
Irrtümer vorbehalten