IRLU024NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 17 A, 45 W, 74 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRLU024NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 17 A, 45 W, 74 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLU024NPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00023
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Der IRLU024NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU024N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 17 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLU024NPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 65 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 15 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 45 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU024NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLU024NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU024NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLU024NPBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 17 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 130 pF
Eingangskapazität (C_iss) 480 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 80 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 74 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 61 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,3 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 45 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse IPAK
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLU024NPBF
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