IRLU024NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 17 A, 45 W, 74 ns, THT, IPAK/TO-251AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
Der IRLU024NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLU024N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 17 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.
Ein herausragendes Merkmal des IRLU024NPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 65 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 15 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.
Das Bauteil ist im kompakten IPAK (TO-251AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 45 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLU024NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.
Typische Einsatzgebiete für den IRLU024NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLU024NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | IRLU024NPBF |
RoHS-konform | Ja |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 17 A |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 130 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 480 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 80 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 2 - 16 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 5 V |
Max. Schaltverzögerung | 74 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 61 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 175 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Derating-Faktor | 0,3 W/°C |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 45 W |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | THT |
Max. Schaltspannung | 55 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | IPAK |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com |
Hersteller-Artikelnr. | IRLU024NPBF |