IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 8,3 A, 2 W, 32 ns, SMD, TSOP-6, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der IRLTS6342PBF / IRLTS6342TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLTS6342, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 12 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLTS6342PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 15,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 11 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten TSOP-6 Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 140 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLTS6342PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLTS6342PBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLTS6342PBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.