IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLR2905ZTRPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-01015
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Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 42 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLR2905ZTRPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 13,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 35 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten TO-252AA (DPAK) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 110 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR2905ZTRPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLR2905ZTRPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR2905ZTRPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLR2905ZTRPBF
RoHS-konform Ja
Länge 7,49 mm
Breite 6,73 mm
Höhe 2,39 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 42 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 230 pF
Eingangskapazität (C_iss) 1.570 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 20 mΩ
Gate-Source-Spannung 3 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 130 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 130 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,72 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 110 W
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse DPAK / TO-252AA
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLR2905ZTRPBF
Irrtümer vorbehalten

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