IRLR2905TRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 84 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
Der IRLR2905TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 42 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht. Der IRLR2905TRPBF bietet zudem eine sehr gute Leistungsdichte und wird in der Industrie aufgrund seiner robusten Eigenschaften und Effizienz geschätzt.
Ein herausragendes Merkmal des IRLR2905TRPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 27 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies trägt zur Minimierung von Leistungsverlusten und zur Verbesserung der Gesamtleistung in verschiedenen elektrischen und elektronischen Anwendungen bei. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von nur 48 nC schnelles Schalten, was den IRLR2905TRPBF besonders für Hochfrequenzanwendungen geeignet macht.
Das Bauteil ist im kompakten TO-252AA (DPAK) Gehäuse untergebracht, das für seine exzellente Wärmeableitung und die einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 110 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR2905TRPBF hervorragend für den Einsatz in verschiedenen industriellen Anwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit und Performance erfordern.
Typische Anwendungen für den IRLR2905TRPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR2905TRPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | IRLR2905TRPBF |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 7,49 mm |
Breite | 6,73 mm |
Höhe | 2,39 mm |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 42 A |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 400 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 1.700 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 30 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 2 - 16 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 5 V |
Max. Schaltverzögerung | 84 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 58 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 175 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Derating-Faktor | 0,71 W/°C |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 110 W |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 55 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | DPAK / TO-252AA |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com |
Hersteller-Artikelnr. | IRLR2905TRPBF |