IRLR024NTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 17 A, 45 W, 74 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR024NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR024N, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 17 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein herausragendes Merkmal des IRLR024NPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 65 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 10 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im kompakten D-PAK (TO-252AA) Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 45 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRLR024NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Typische Einsatzgebiete für den IRLR024NPBF umfassen leistungsstarke Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Leistungsregler und industrielle Steuerungen. Diese Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen den IRLR024NPBF zu einer bevorzugten Wahl in vielen Bereichen der Elektronik und Energieversorgung.