IRLL2705TRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 3,8 A, 2,1 W, 35 ns, SMD, SOT-223, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLL2705TRPBF
  • Artikelnr.: 05-0010-01010
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Der IRLL2705TRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert wurde. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 3,8 A eignet sich dieses Bauteil für verschiedene Schaltungen, die einen stabilen und effizienten Schalteinsatz erfordern. Seine maximale Leistungsaufnahme beträgt 2,1 W, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht. Die Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs liegt bei 35 ns, was eine schnelle Reaktionsfähigkeit in digitalen Anwendungen gewährleistet.

Der IRLL2705TRPBF ist im SOT-223 Gehäuse ausgeführt und zeichnet sich durch seine SMD-Bauweise aus, was eine platzsparende Integration in Leiterplatten erleichtert. Das Bauteil ist TTL-/CMOS-kompatibel und kann in einem Temperaturbereich von -55 bis 150 °C betrieben werden, was es vielseitig einsetzbar in unterschiedlichen Umgebungen und Anwendungen macht, wie beispielsweise in der Leistungsschaltung oder Signalverarbeitung.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLL2705TRPBF
RoHS-konform Ja
Länge 6,7 mm
Breite 3,7 mm
Höhe 1,8 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 3,8 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 220 pF
Eingangskapazität (C_iss) 870 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 51 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 35 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 92 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 8,3 mW/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 2,1 W
Anzahl Pins 4
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-223
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLL2705TRPBF

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Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-

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IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3110Z, ist ein N-Kanal

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und e

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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Str

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN335N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickel

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwicke

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR7843, ist ein N-Kanal-MO

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3705ZTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und eine

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1404ZSTRLPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effi

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der PMV280ENEAR ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen St

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und ei

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendu

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BKS / NX7002BKSX ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elekt

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002AK ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipi

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldef

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL2505PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL2505, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS

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Der IRLL2705TRPBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen Strom von bis zu 3,8 A bietet. Mit einer Verlustleistung von nur 2,1 W und einer Schaltzeit von 35 ns eignet sich dieser SMD-MOSFET im kompakten SOT-223 Gehäuse ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik. Er ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel und arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -55 bis 150 °C. Optimal für vielseitige Einsatzmöglichkeiten in modernen Schaltanwendungen und effiziente Steuerungen, stellt der IRLL2705TRPBF eine ideale Lösung für Ihre elektronischen Projekte dar. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRLL2705TRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V MOSFET, 3, 8 A Transistor, 2, 1 W Leistung, 35 ns Schaltzeit, SMD Bauelemente, SOT-223 Gehäuse, TTL-kompatibler Transistor, CMOS-kompatibler MOSFET, -55 bis 150 °C Betriebstemperatur, Hochfrequenztransistor, Stromsteuerung Bauelement, Leistungstransistor kaufen, elektronische Komponenten, MOSFET kaufen, Transistoren für Schaltungen, SMD Transistor, Miniaturbauelemente, Leistungsmosfet für Anwendungen, robuste Transistoren für Bauprojekte, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung
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