IRLL024NTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 3,1 A, 2,1 W, 25 ns, SMD, SOT-223, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • IRLL024NTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 3,1 A, 2,1 W, 25 ns, SMD, SOT-223, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • MPN: 05-0010-01011
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLL024NTRPBF
RoHS-konform Ja
Länge 6,7 mm
Breite 3,7 mm
Höhe 1,8 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 140 pF
Eingangskapazität (C_iss) 510 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 80 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 25 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 58 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 8,3 mW/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 2,1 W
Anzahl Pins 4
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 55 V
Max. Schaltstrom 3,1 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-223
Irrtümer vorbehalten