IRLB8721PBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 62 A, 65 W, 93 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRLB8721PBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00006
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Der IRLB8721PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLB8721, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, der für eine Vielzahl industrieller und privater Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 30 Volt und einer beeindruckenden Stromtragfähigkeit von 62 Ampere bei einer Temperatur von 25 °C ist dieser MOSFET bestens geeignet für den Einsatz in DC-Motorsteuerungen, Schaltnetzteilen, Wechselrichtern, batteriebetriebenen Geräten und vielen anderen Bereichen. Dank seiner robusten Planar-Technologie und dem breiten sicheren Arbeitsbereich bietet er eine hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, selbst unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.

Ein herausragendes Merkmal des IRLB8721PBF ist sein geringer Durchlasswiderstand von nur 8,7 Milliohm bei einer Gate-Spannung von 10 Volt und einem Drainstrom von 31 Ampere. Dadurch wird der Energieverlust minimiert, was die Effizienz des Systems erhöht und eine geringe Wärmeentwicklung gewährleistet. Mit einer maximalen Verlustleistung von 65 Watt und einem breiten Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C eignet sich der MOSFET auch für extreme Einsatzbedingungen.

Das Standardgehäuse TO-220AB, in dem der IRLB8721PBF geliefert wird, erleichtert die Integration in bestehende Designs. Dieses Gehäuse ist für Durchsteckmontage ausgelegt und zeichnet sich durch eine effiziente Wärmeableitung aus. Dank der optimierten Parameter für Schaltfrequenzen unter 100 kHz ist der IRLB8721 ideal für Anwendungen mit niedrigeren Schaltgeschwindigkeiten, wo eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erforderlich sind.

Entwickelt für den anspruchsvollen industriellen Einsatz sowie für den Hobbybereich, überzeugt der IRLB8721PBF durch seine hohe Leistung und Vielseitigkeit. Ob in automatisierten Steuerungen, Energiemanagementsystemen oder einfachen DIY-Projekten, dieser MOSFET erfüllt zuverlässig die Anforderungen moderner Elektroniklösungen. Seine breite Verfügbarkeit und das Standarddesign machen ihn zu einer beliebten Wahl bei Entwicklern und Ingenieuren weltweit.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRLB8721PBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 62 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 360 pF
Eingangskapazität (C_iss) 1.077 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 13,1 mΩ
Gate-Source-Spannung 2,35 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 93 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 110 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 0,43 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 65 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 30 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRLB8721PBF

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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-

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IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3110Z, ist ein N-Kanal

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und e

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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Str

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN335N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickel

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwicke

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR7843, ist ein N-Kanal-MO

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3705ZTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und eine

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1404ZSTRLPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effi

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der PMV280ENEAR ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen St

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und ei

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendu

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BKS / NX7002BKSX ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elekt

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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Der NX7002AK ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipi

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldef

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL2505PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL2505, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS

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Der IRLB8721PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Sperrspannung von 30 V und einem hohen maximalen Drainstrom von 62 A, ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik. Mit einer Verlustleistung von bis zu 65 W und einer Schaltgeschwindigkeit von nur 93 ns eignet sich dieser MOSFET besonders gut für effizientere Schaltungen. Er ist im THT-Gehäuse TO-220AB untergebracht und ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was die Integration in verschiedene Designs erleichtert. Der Temperaturbereich von -55 bis 175 °C sorgt für hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen. Nutzen Sie den IRLB8721PBF für Ihre anspruchsvollen Projekte und profitieren Sie von seiner hohen Effizienz und Flexibilität. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
IRLB8721PBF, N-Kanal MOSFET, 30 V MOSFET, 62 A Transistor, 65 W Leistungstransistor, 93 ns Schaltverhalten, THT Bauelement, TO-220AB Gehäuse, TTL-kompatibel, CMOS-kompatibel, -55 bis 175 °C Temperaturbereich, Leistungshalbleiter, elektronische Komponenten, Schalter Bauelement, Hochstrom MOSFET, effiziente Schaltung, Transistor kaufen, Bauelemente online, Halbleitertechnik, Industrielle Anwendung, leistungsstarker N-Kanal Transistor., Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung
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