IRL7833PBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 150 A, 140 W, 50 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL7833PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL7833, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 150 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein bemerkenswertes Merkmal des IRL7833PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 3,8 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 32 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 140 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRL7833PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.