IRL3705NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 89 A, 170 W, 140 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL3705NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL3705N, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 89 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein bemerkenswertes Merkmal des IRL3705NPBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 10 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 170 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRL3705NPBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.