IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

  • Hersteller: INFINEON
  • MPN: IRL2505PBF
  • Artikelnr.: 05-0010-00016
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Der IRL2505PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL2505, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 104 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein bemerkenswertes Merkmal des IRL2505PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)) von maximal 8 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 130 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 200 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRL2505PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell IRL2505PBF
RoHS-konform Ja
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 104 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 1.100 pF
Eingangskapazität (C_iss) 5.000 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 10 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 16 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 5 V
Max. Schaltverzögerung 160 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 390 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 175 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Derating-Faktor 1,3 W/°C
Bauelement
Max. Verlustleistung 200 W
Anzahl Pins 3
Montageart THT
Max. Schaltspannung 55 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse TO-220AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, DE, +49892340, info@infineon.com
Hersteller-Artikelnr. IRL2505PBF

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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-

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IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3110Z, ist ein N-Kanal

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und e

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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Str

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN335N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickel

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwicke

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR7843, ist ein N-Kanal-MO

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3705ZTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und eine

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1404ZSTRLPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effi

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der PMV280ENEAR ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen St

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und ei

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendu

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BKS / NX7002BKSX ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elekt

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002AK ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipi

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldef

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS

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Der IRL2505PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 55 V, einer Stromstärke von 104 A und einer Verlustleistung von 200 W, ideal für anspruchsvolle Anwendungen. Mit einer Schaltgeschwindigkeit von nur 160 ns und einem Betriebstemperaturbereich von -55 bis 175 °C gewährleistet dieser MOSFET in der TO-220AB Bauform eine hohe Zuverlässigkeit und Effizienz. Seine TTL-/CMOS-Kompatibilität macht ihn zur perfekten Wahl für digitale Schaltungen und Leistungssteuerungen. Optimieren Sie Ihre Projekte mit diesem vielseitigen Bauelement und profitieren Sie von einer stabilen Leistung in verschiedenen Anwendungen. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
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