IRL1004PBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 130 A, 200 W, 210 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1004PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL1004, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET von Infineon Technologies. Dieses Bauteil zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 130 A aus, was es ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.

Ein bemerkenswertes Merkmal des IRL1004PBF ist sein äußerst niedriger Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von maximal 6,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Dies minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz in verschiedenen Anwendungen. Zudem ermöglicht die geringe Gate-Ladung von 100 nC schnelles Schalten, was in Hochfrequenzanwendungen von Vorteil ist.

Das Bauteil ist im TO-220AB-Gehäuse untergebracht, das für seine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage bekannt ist. Mit einem maximalen Leistungsverlust von 200 W und einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C eignet sich der IRL1004PBF für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, bei denen hohe Zuverlässigkeit und Leistung gefordert sind.