FDN357N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,9 A, 500 mW, 22 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDN357N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,9 A, 500 mW, 22 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • MPN: 05-0010-01006
  • Artikelnr.: 05-0010-01006
  • Lagerbestand: 20

  • 0,55 €

  • Endpreis¹ zzgl. Versandkosten

  • Staffelpreise (je Stück)¹

  • ab 5 Stück: 0,19 €
  • ab 20 Stück: 0,12 €

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDN357N
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 1,12 mm
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 145 pF
Eingangskapazität (C_iss) 235 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 90 mΩ
Gate-Source-Spannung 2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 22 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 50 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 500 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 30 V
Max. Schaltstrom 1,9 A
Integrierte Schaltung
Gehäuse SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller vipitec, Victor-Philipp Negoescu, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de
Hersteller-Artikelnr. 05-0010-01006
Irrtümer vorbehalten