FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET |
| Modell | FDN339AN |
| RoHS-konform | Ja |
| Länge | 2,92 mm |
| Breite | 1,4 mm |
| Höhe | 0,93 mm |
| Schalter | |
| Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 3 A |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 175 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 700 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 35 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | 1,5 - 8 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
| Max. Schaltverzögerung | 29 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 85 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 1 |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 500 mW |
| Anzahl Pins | 3 |
| Montageart | SMD |
| Max. Schaltspannung | 20 V |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | SuperSOT-3 |
| Informationen zur Produktsicherheit | |
| Hersteller | Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com |
| Hersteller-Artikelnr. | FDN339AN |
Irrtümer vorbehalten