FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: ONSEMI
  • MPN: FDN339AN
  • Artikelnr.: 05-0010-01018
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Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Strom von 3 A ausgelegt ist. Er hat eine Leistung von 500 mW und eine Schaltzeit von 29 ns, was ihn für Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen geeignet macht. Dieser MOSFET in der SMD-Bauform SuperSOT-3 ist sowohl TTL- als auch CMOS-kompatibel, was seine Vielseitigkeit in verschiedenen Schaltungen erhöht.

Der Temperaturbereich des FDN339AN reicht von -55 °C bis 150 °C, wodurch er in einer Vielzahl von Umgebungen eingesetzt werden kann. Seine spezifischen Eigenschaften und der kompakte Formfaktor machen ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Anwendungen, insbesondere in der Kategorie der Transistoren.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell FDN339AN
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,4 mm
Höhe 0,93 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 3 A
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 175 pF
Eingangskapazität (C_iss) 700 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 35 mΩ
Gate-Source-Spannung 1,5 - 8 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 29 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 85 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 500 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 20 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SuperSOT-3
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr. FDN339AN
EU Verantwortliche Person vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de

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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-

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IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3110Z, ist ein N-Kanal

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und e

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN335N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickel

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwicke

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR7843, ist ein N-Kanal-MO

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3705ZTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und eine

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1404ZSTRLPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effi

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der PMV280ENEAR ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen St

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und ei

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendu

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BKS / NX7002BKSX ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elekt

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002AK ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipi

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt

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BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldef

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL2505PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL2505, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS

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Der FDN339AN ist ein fortschrittlicher N-Kanal MOSFET, der sich ideal für verschiedene elektronische Anwendungen eignet. Mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem Strom von 3 A bietet er eine bemerkenswerte Leistung bei einer Verlustleistung von lediglich 500 mW. Seine schnelle Schaltzeit von 29 ns garantiert effiziente Signalverarbeitung und Reaktionsfähigkeit. Der FDN339AN im kompakten SuperSOT-3-Gehäuse ist TTL- und CMOS-kompatibel und ermöglicht eine einfache Integration in moderne Schaltungen. Er ist für Betriebstemperaturen von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, was ihn besonders vielseitig und zuverlässig in unterschiedlichen Umgebungen macht. Nutzen Sie den FDN339AN für Ihre nächsten Projekte, um die Leistung und Effizienz Ihrer Schaltungen zu maximieren. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
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