FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und einem kontinuierlichen Strom von bis zu 2 A ausgelegt ist. Mit einer maximalen Verlustleistung von 500 mW eignet sich dieses Bauelement gut für verschiedene Schaltanwendungen. Die Schaltgeschwindigkeit des FDN327N beträgt 29 ns, was ihn für Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Reaktionszeit geeignet macht.
Das Bauelement ist im kompakten SuperSOT-3 Gehäuse ausgeführt und erfüllt die Standards für TTL-/CMOS-Kompatibilität. Der Temperaturbereich beträgt -55 bis 150 °C, was eine breite Anwendbarkeit in unterschiedlichen Umgebungen ermöglicht. Der FDN327N eignet sich daher für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | FDN327N |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 2,92 mm |
Breite | 1,4 mm |
Höhe | 0,93 mm |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 2 A |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 87 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 423 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 70 mΩ |
Gate-Source-Spannung | 1,5 - 8 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 29 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 48 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 500 mW |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 20 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SuperSOT-3 |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com |
Hersteller-Artikelnr. | FDN327N |
EU Verantwortliche Person | vipitec, Bachgasse 58, 64625 Bensheim, DE, +4962519765459, info@vipitec.de |
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