CSD88539NDT, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 11,7 A, 2,1 W, 14 ns, SMD, SO-8, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Produkteigenschaften
| Logistik | |
| Verfügbarkeit | auf Lager |
| Allgemein | |
| Funktion | N-Kanal MOSFET, 2-fach |
| Modell | CSD88539NDT |
| RoHS-konform | Ja |
| Länge | 5 mm |
| Breite | 4 mm |
| Höhe | 1,75 mm |
| Schalter | |
| Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 11,7 A |
| Transistor | |
| Ausgangskapazität (C_oss) | 70 pF |
| Eingangskapazität (C_iss) | 570 pF |
| Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 34 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | 3,6 - 20 V |
| Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 6 V |
| Max. Schaltverzögerung | 14 ns |
| Rückübertragungskapazität (C_rss) | 2 pF |
| Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
| Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
| Treiber | |
| Anzahl Treiber | 2 |
| Bauelement | |
| Max. Verlustleistung | 2,1 W |
| Anzahl Pins | 8 |
| Montageart | SMD |
| Max. Schaltspannung | 60 V |
| Integrierte Schaltung | |
| Gehäuse | SO-8 |
| Informationen zur Produktsicherheit | |
| Hersteller | Texas Instruments Inc., 12500 TI Blvd., 75243 Dallas, Texas, US, +18552263113, info@ti.com |
| Hersteller-Artikelnr. | CSD88539NDT |
Irrtümer vorbehalten