BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET) von Nexperia, der in einem kompakten SOT23-Gehäuse untergebracht ist. Dieser MOSFET nutzt die fortschrittliche Trench-Technologie, die eine Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 360 mA ermöglicht.
Zu den herausragenden Merkmalen des BSS138BK zählen seine Logikpegel-Kompatibilität und die Fähigkeit zum sehr schnellen Schalten, was ihn ideal für Anwendungen wie Relaisansteuerungen, High-Speed-Leitungstreiber und Low-Side-Lastschalter macht. Zudem bietet er einen ESD-Schutz von bis zu 1,5 kV gemäß Human Body Model (HBM) und ist gemäß AEC-Q101 für den Automobilbereich qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit und Robustheit unterstreicht.
Der BSS138BK zeichnet sich durch einen maximalen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 6,5 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V aus, was zu einer effizienten Leistung und minimalen Verlusten führt. Das SOT23-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Schaltungen und Designs, insbesondere dort, wo Platzersparnis und hohe Leistungsfähigkeit gefragt sind.
Mit seinem breiten Betriebstemperaturbereich und den robusten elektrischen Eigenschaften ist der BSS138BK eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die einen zuverlässigen und effizienten n-Kanal-MOSFET für ihre Anwendungen suchen. Seine Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, schnellem Schaltverhalten und kompakter Bauweise macht ihn vielseitig einsetzbar in modernen elektronischen Systemen.
Produkteigenschaften
Logistik | |
Verfügbarkeit | auf Lager |
Allgemein | |
Funktion | N-Kanal MOSFET |
Modell | BSS138BK |
RoHS-konform | Ja |
Länge | 2,92 mm |
Breite | 1,3 mm |
Höhe | 1,2 mm |
Schalter | |
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) | 360 mA |
Transistor | |
Ausgangskapazität (C_oss) | 7 pF |
Eingangskapazität (C_iss) | 56 pF |
Einschaltwiderstand (RDS_ON) | 2,2 Ω |
Gate-Source-Spannung | 1,6 - 20 V |
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand | 4,5 V |
Max. Schaltverzögerung | 76 ns |
Rückübertragungskapazität (C_rss) | 4 pF |
Sperrschichttemperatur | -55 - 150 °C |
Transistor-Typ | N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend |
Treiber | |
Anzahl Treiber | 1 |
Bauelement | |
Max. Verlustleistung | 420 mW |
Anzahl Pins | 3 |
Montageart | SMD |
Max. Schaltspannung | 60 V |
Integrierte Schaltung | |
Gehäuse | SOT-23 / TO-236AB |
Informationen zur Produktsicherheit | |
Hersteller | Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com |
Hersteller-Artikelnr. | BSS138BK |
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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C
Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS
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