BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 360 mA, 420 mW, 76 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

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  • Hersteller: NEXPERIA
  • MPN: BSS138BK
  • Artikelnr.: 05-0010-01033
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Der BSS138BK, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung BSS138, ist ein n-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET) von Nexperia, der in einem kompakten SOT23-Gehäuse untergebracht ist. Dieser MOSFET nutzt die fortschrittliche Trench-Technologie, die eine Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 360 mA ermöglicht.

Zu den herausragenden Merkmalen des BSS138BK zählen seine Logikpegel-Kompatibilität und die Fähigkeit zum sehr schnellen Schalten, was ihn ideal für Anwendungen wie Relaisansteuerungen, High-Speed-Leitungstreiber und Low-Side-Lastschalter macht. Zudem bietet er einen ESD-Schutz von bis zu 1,5 kV gemäß Human Body Model (HBM) und ist gemäß AEC-Q101 für den Automobilbereich qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit und Robustheit unterstreicht.

Der BSS138BK zeichnet sich durch einen maximalen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 6,5 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V aus, was zu einer effizienten Leistung und minimalen Verlusten führt. Das SOT23-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Schaltungen und Designs, insbesondere dort, wo Platzersparnis und hohe Leistungsfähigkeit gefragt sind.

Mit seinem breiten Betriebstemperaturbereich und den robusten elektrischen Eigenschaften ist der BSS138BK eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die einen zuverlässigen und effizienten n-Kanal-MOSFET für ihre Anwendungen suchen. Seine Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, schnellem Schaltverhalten und kompakter Bauweise macht ihn vielseitig einsetzbar in modernen elektronischen Systemen.

Produkteigenschaften

Logistik
Verfügbarkeit auf Lager
Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell BSS138BK
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,3 mm
Höhe 1,2 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 360 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 7 pF
Eingangskapazität (C_iss) 56 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 2,2 Ω
Gate-Source-Spannung 1,6 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 76 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 4 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 420 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 60 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Nexperia B.V., Jonkerbosplein 52, 6534 AB Nijmegen, NL, +31243537979, info@nexperia.com
Hersteller-Artikelnr. BSS138BK

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IRLR3410PBF / IRLR3410TRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 79 W, 53 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3410PBF / IRLR3410TRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 17 A, 79 W, 53 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3410PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3410, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxid

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IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR2905ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 110 W, 130 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR2905ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR2905Z, ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-

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IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 100 V, 42 A, 140 W, 110 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3110ZPBF / IRLR3110ZTRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR3110Z, ist ein N-Kanal

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NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NDS355AN, N-Kanal MOSFET, 30 V, 1,7 A, 500 mW, 60 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NDS355AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 30 V und e

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FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN339AN, N-Kanal MOSFET, 20 V, 3 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN339AN ist ein N-Kanal MOSFET, der für eine maximale Spannung von 20 V und einen maximalen Str

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FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN335N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 1,7 A, 500 mW, 20 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN335N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickel

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FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN337N, N-Kanal MOSFET, 30 V, 2,2 A, 500 mW, 28 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN337N ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen in der Leistungselektronik entwicke

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IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, N-Kanal MOSFET, 30 V, 161 A, 140 W, 42 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR7843PBF / IRLR7843TRPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRLR7843, ist ein N-Kanal-MO

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IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRLR3705ZTRPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 42 A, 130 W, 150 ns, SMD, DPAK/TO-252AA, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRLR3705ZTRPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V und eine

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IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL1404ZSTRLPBF, N-Kanal MOSFET, 40 V, 120 A, 230 W, 180 ns, SMD, D2PAK/TO-263AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL1404ZSTRLPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Effi

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BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123L ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige und

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FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDV301N, N-Kanal MOSFET, 25 V, 220 mA, 350 mW, 15 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDV301N ist ein N-Kanal MOSFET, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

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PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

PMV280ENEAR, N-Kanal MOSFET, 100 V, 1,1 A, 580 mW, 10 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der PMV280ENEAR ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Spannung von 100 V und einem maximalen St

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FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

FDN327N, N-Kanal MOSFET, 20 V, 2 A, 500 mW, 29 ns, SMD, SuperSOT-3, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der FDN327N ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einer maximalen Spannung von 20 V und ei

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NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BK / NX7002BKR, N-Kanal MOSFET, 60 V, 170 mA, 310 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BK / NX7002BKR ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendu

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NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002BKS / NX7002BKSX, N-Kanal MOSFET, 2-fach, 60 V, 330 mA, 320 mW, 6,9 ns, SMD, SOT-363/SC-88, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002BKS / NX7002BKSX ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elekt

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NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

NX7002AK, N-Kanal MOSFET, 60 V, 190 mA, 265 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der NX7002AK ist ein N-Kanal-MOSFET von Nexperia, der für kompakte elektronische Anwendungen konzipi

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BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

BSS123, N-Kanal MOSFET, 100 V, 150 mA, 250 mW, 20 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

Der BSS123 ist ein N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen im Bereich der Leistungsschaltung entwickelt

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IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRL2505PBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 104 A, 200 W, 160 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRL2505PBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRL2505, ist ein n-Kanal-HEXFET®-Power-MOSFET

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IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

IRFZ44NPBF, N-Kanal MOSFET, 55 V, 49 A, 94 W, 60 ns, THT, TO-220AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..175 °C

Der IRFZ44NPBF, auch bekannt unter der Kurzbezeichnung IRFZ44N, ist ein leistungsstarker n-Kanal-MOS

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Der BSS138BK ist ein leistungsfähiger N-Kanal MOSFET, der für Anwendungen mit einem maximalen Spannungsbereich von 60 V und einem Strom von bis zu 360 mA konzipiert wurde. Mit einer Verlustleistung von 420 mW und einer Schaltgeschwindigkeit von 76 ns ist dieser SMD-MOSFET ideal für kompakte Designs und schnelle Schaltvorgänge geeignet. Er ist in einem SOT-23/TO-236AB Gehäuse untergebracht und bietet eine hohe Kompatibilität mit TTL- und CMOS-Technologien. Der Betriebstemperaturbereich von -55 bis 150 °C gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen. Setzen Sie auf den BSS138BK für eine effiziente und zuverlässige Leistung in Ihren Elektronikprojekten. Deutschlandweiter Versand für elektronische Komponenten, Bauteile und Zubehör
BSS138BK, N-Kanal MOSFET, 60V MOSFET, 360mA MOSFET, 420mW, SMD Transistor, SOT-23, TO-236AB, TTL kompatibel, CMOS kompatibel, -55 bis 150 Grad, N-Kanal Transistor, elektronische Bauelemente, Transistor kaufen, MOSFET für Schaltung, low voltage MOSFET, schnelle Schaltzeiten, langlebiger MOSFET, Transistor für digitale Schaltungen, Bauelemente für Elektronik, Kompakttransistor, Hochtemperatur Transistor, Halbleiter Bauelemente, MOSFET Anwendungen, Transistor für Mikrocontroller, Elektronik, preiswert, Bauteil, günstig, Bauelement, billig, Baugruppe, kaufen, Komponente, Shop, Bausatz, Angebot, Baugruppe, Board, Platine, Entwicklung
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