BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C

  • BSS123L, N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, 360 mW, 31 ns, SMD, SOT-23/TO-236AB, TTL-/CMOS-kompatibel, -55..150 °C
  • Hersteller: ONSEMI
  • MPN: BSS123L
  • Artikelnr.: 05-0010-01025
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Produkteigenschaften

Logistik
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Allgemein
Funktion N-Kanal MOSFET
Modell BSS123L
RoHS-konform Ja
Länge 2,92 mm
Breite 1,3 mm
Höhe 1,2 mm
Schalter
Max. Schaltstrom (Dauerbetrieb) 170 mA
Transistor
Ausgangskapazität (C_oss) 3,52 pF
Eingangskapazität (C_iss) 21,5 pF
Einschaltwiderstand (RDS_ON) 10 Ω
Gate-Source-Spannung 2 - 20 V
Gate-Spannung bei Einschaltwiderstand 4,5 V
Max. Schaltverzögerung 31 ns
Rückübertragungskapazität (C_rss) 1,67 pF
Sperrschichttemperatur -55 - 150 °C
Transistor-Typ N-Kanal MOSFET, nicht-invertierend/selbstsperrend
Treiber
Anzahl Treiber 1
Bauelement
Max. Verlustleistung 360 mW
Anzahl Pins 3
Montageart SMD
Max. Schaltspannung 100 V
Integrierte Schaltung
Gehäuse SOT-23 / TO-236AB
Informationen zur Produktsicherheit
Hersteller Semiconductor Components Industries, LLC (Onsemi), 5701 North Pima Road, 85250 Scottsdale, Arizona, US, +16022446600, info@onsemi.com
Hersteller-Artikelnr. BSS123L
Irrtümer vorbehalten